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2020-2021學(xué)年第二學(xué)期期末考試《計(jì)算機(jī)組成原理》大作業(yè)
學(xué)生姓名 專業(yè)
層次年級(jí) 學(xué)號(hào)
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2020-2021學(xué)年第二學(xué)期期末考試
計(jì)算機(jī)組成原理
一 更多答案下載：（www.） (共10題 ，總分值100分 )
1. 某8位計(jì)算機(jī)采用單總線結(jié)構(gòu)，地址總線17根（A16~0，A16為高位），數(shù)據(jù)總線8根雙向（D7~0），控制信號(hào) （高電平為讀，低電平為寫）。
已知該機(jī)存儲(chǔ)器地址空間從0連續(xù)編址，其地址空間分配如下：最低8K為系統(tǒng)程序區(qū)，由ROM芯片組成；緊接著40K為備用區(qū)，暫不連接芯片；而后78K為用戶程序和數(shù)據(jù)空間，用靜態(tài)RAM芯片組成；最后2K用于I/O設(shè)備（與主存統(tǒng)一編址）?，F(xiàn)有芯片如下：
SRAM：16K×8位，其中 ：為片選信號(hào)，低電平有效， ：為寫控制信號(hào)，低電平寫，高電平讀。
ROM：8K×8位，其中 ：為片選信號(hào)，低電平有效， ：為讀出控制，低電平讀出有效。
譯碼器：3―8譯碼器，輸出低電平有效； 為使能信號(hào)，低電平時(shí)譯碼器功能有效。
其它“與、或”等邏輯門電路自選。
（1）請(qǐng)問(wèn)該主存需多少SRAM芯片？
（2）試畫出主存芯片與CPU的連接邏輯圖。
（3）寫出各芯片地址分配表。 （10 分）
2. （10 分）
3. 64K×1位DRAM芯片通常制成兩個(gè)獨(dú)立的128×256陣列。若存儲(chǔ)器的讀/寫周期為0.5μs，則對(duì)集中式刷新而言，其“死區(qū)”時(shí)間是多少？如果是一個(gè)256K×1位的DRAM芯片，希望能與上述64K×1位DRAM芯片有相同的刷新延時(shí)，則它的存儲(chǔ)陣列應(yīng)如何安排？ （10 分）
4. 地址映象方法有哪幾種？它們各有什么優(yōu)缺點(diǎn)？ （10 分）
5. 設(shè)某機(jī)字長(zhǎng)為32位，CPU有32個(gè)32位通用寄存器，有8種尋址方式包括直接尋址，間接尋址、立即尋址、變址尋址等，采用R―S型單字長(zhǎng)指令格式。共有120條指令，試問(wèn)：
（1）該機(jī)直接尋址的最大存儲(chǔ)空間為多少？
（2）若采用間接尋址，則可尋址的最大存儲(chǔ)空間為多少？如果采用變址尋址呢？
（3）若立即數(shù)為帶符號(hào)的補(bǔ)碼整數(shù)，試寫出立即數(shù)范圍。 （10 分）
6. 如圖所示為一CPU的結(jié)構(gòu)框圖。
（1）標(biāo)明圖中a、b、c、d四個(gè)寄存器的名稱。
（2）簡(jiǎn)述取指令的操作流程。
（3）若加法指令格式與功能如下
其功能為：(AC)＋(D)→AC
試分析執(zhí)行加法指令的操作流程。
（10 分）
7. 偽相聯(lián)的基本思想是什么？ （10 分）
8. 某CRC碼（CRC）的生成多項(xiàng)式G(x)＝x3＋x2＋1，請(qǐng)判斷下列CRC碼是否存在錯(cuò)誤。
（1）0000000（2）1111101（3）1001111（4）1000110 （10 分）
9. 基本的軟件系統(tǒng)包括哪些內(nèi)容？ （10 分）
10. 一個(gè)較完善的指令系統(tǒng)應(yīng)包括哪些類型的指令？ （10 分）
